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mos管的拉电流
MOS管
导通漏极
电流
与什么有关
答:
漏极
电流
Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型
MOS管
为例:当Vgs一定时,Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象;当Vgs>Vgsth增加时,Id也随之呈增大趋势。以上是宏观特性,其微观特性依据沟道间导电层的厚度决定。其它各型场效应管皆以N沟道增强型MOS管为模本,根据其自身特性...
单片机灌电流和
拉电流
之和不超过120mA还是分别不超过120mA?
答:
同理灌电流都是通过IO口流入单片机,,再通过单片机的GND引脚流出,GND引脚承受的电流也是有限的。因为GND和VCC引脚是两个独立的引脚,承受电流也是独立的,所以这里才是分别不超过120mA。要是发现驱动电流(灌电流和
拉电流
)不够用,可以通过外接三极管或
mos管
来增强驱动能力。总结来说,你需要盘底电流的...
我想问的是
mos管
那么细小的管脚真的能承受几百安培
的电流
吗?还有mos真...
答:
几十安是有的,上百安就不太可能了,我所知道及使用过的igbt最大的也就85N06
关于
MOS管
中栅极
电流
的问题
答:
栅极有个寄生电容,驱动的时候
电流
主要是给这个寄生电容充电,关断的时候电容就给地放电,假如你驱动电流频率是10K,那就是说每秒要给这个电容充电1万次,电容能量E=1/2CV平方,那么驱动功率W=E*K,电流在电阻上的回路几乎可以忽略,这就为什么说
MOS管
静态损耗小的原因,可是作为开关
管的
话,电流大小就...
mos管
流过
的电流
越大 g极的驱动电流就要越大吗
答:
mos管
是电压驱动,不是
电流
驱动 流过电流不仅和驱动电压有关,还和外电路有关,所以说的太笼统了。如果外电路不变,这么说基本正确。
MOSFETS饱和时候的漏极
电流
公式?
答:
MOSFETS饱和时候的漏极
电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
Mos管
在开关电路中 是怎么工作的?
答:
mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于
mos管的
导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
MOS管
开通过程感性负载和阻性负载的区别?
答:
对于感性负载(如电感器),当VGS(栅极与源极电压)刚进入平台电压时,漏极
电流
就已经达到最大值,这是因为感性负载的特性导致的。当VGS刚开始增加时,栅极和源极之间的电压差引起电流在感性负载中流动。由于感性负载的特性,电感器会抵抗电流的变化,即它会阻碍电流的急剧上升。因此,当VGS刚进入平台...
...
电流
大概600mA 。该用什么样的
mos管
?电路越简单越好。
答:
可以用这个型号的
MOS管
:WPM2341-3/TR N沟道的,封装小巧,用在600mA
电流
的场景够用又有一定的余量,比较合适。电路的话,用下图:原理解释看这篇文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》
MOS管
工作在线性区
电流
会逐渐变大?
答:
这个是正常的。通过
电流
会产生热量,PN结温度升高后,导通压降会减少,无形中就相当于你把GS电压提升了。一般来说,恒流最好通过PWM控制G的电压来实现,也就是在DS回路上增加一个阻值很小的采样电阻,得到电压后放大并用AD采样,数据送单片机处理后,用DA输出控制G,根据AD采样值不断调节DA输出电压大小...
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