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mos管电流多大
ASEMI的
MOS管
ASE0510SH的最大脉冲正向
电流
是多少?
答:
ASE0510SH参数描述 型号:ASE0510SH 封装:SOT-89 特性:N沟道中低压
MOS管
电性参数:5A 100V 正向
电流
(Io):5A 静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):140mΩ 功耗(PD):2W 二极管正向电压(VSD):1.2V 最大脉冲正向电流ISM:15A 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 工作温度:-55~+150℃ 引线...
ASEMI高压
MOS管
16N60的最大脉冲正向
电流
是多少?
答:
16N60参数描述 型号:16N60 封装:TO-220 特性:N沟道高压
MOS管
电性参数:16A 600V 正向
电流
(Io):16A 静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.2Ω 功耗(PD):134.4W 二极管正向电压(VSD):1.2V 最大脉冲正向电流ISM:48A 零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量...
ASEMI高压
MOS管
4N65的零栅极电压漏极
电流
是多少?
答:
4N65参数描述 型号:4N65 封装:TO-220 特性:N沟道高压
MOS管
电性参数:4A 650V 正向
电流
(Io):4A 静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):2.5Ω 功耗(PD):50W 二极管正向电压(VSD):1.4V 最大脉冲正向电流ISM:16A 零栅极电压漏极电流(IDSS):10uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 4N65是...
晶体管IPT012N08N5
电流
多少A呢?
答:
这是英飞凌的
MOS管
,漏极
电流
最大400A。
800V大功率
MOS管
有哪些
电流
参数哪些封装外形?
答:
海飞乐技术封装800V3.5A的
MOS管
,800V5A,800V7A,800V8A,800V9A,800V10A,800V11A,800V12A的MOS,800V13A,800V14A,800V15A,800V16A,800V17A,800V20A MOS管,800V23A,800V24A,800V26A,800V27A,800V28A,800V29A,800V32A,800V34A,800V37A,800V38A,800V39A的MOS管,...
MOS管
漏极
电流
怎样算的?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极
电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细...
MOS管
漏极
电流
怎么计算?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极
电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细...
MOS管
漏极
电流
怎样算
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极
电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是
MOS管的
阈值电压。这个公式的详细...
mos管的
最大持续
电流
如何计算?
答:
2. 确定
MOS管的
额定
电流
。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 ...
mos管的
最大持续
电流
是如何确定的?
答:
MOS管
最大持续
电流
=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是...
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