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mos管vgs是什么电压
MOS管
驱动
电压
,是处于饱和区时MOS的
VGS
-VTH吗?驱动电压有
什么
意义?
答:
过驱动
电压
Vod=
Vgs
-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,
MOS管
才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流...
求解释一些
MOS管
驱动
电压
答:
过驱动
电压
Vod=
Vgs
-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大小。1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,
MOS管
才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说,能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流...
mos管
vds
电压
怎么计算
答:
Vds是场效应管漏极和源极间的
电压
,
Vgs是
栅极与源极间电压,指的是电压值不存在加减关系和电流方向。场效应
管Vgs
和Vds电压问题说明:
MOS管的
时候记得是G极电压,D极电压,S极电压这样叫。我知道电压是指电路之间的
电位差
,但弄不明白Vds是指D极电压减去S极电压的值,还是Vds只表明了电压或电流的...
场效应管的问题
答:
有四种可能:1、增强型
MOS管
;2、耗尽型MOS管;3、耗尽型MOS管;4、结型管。见图:。
MOS管
中
VGS
的作用
答:
亲,对于NMOS,bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错,阈值
电压
VT的确受SB间的电压影响,V_SB越高,VT越大。模拟电路设计中要注意的问题之一就是源极S电压对阈值的影响。
mos管的vgs是
正还是负?
答:
p
mos管的vgs
同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负
电压
关断,但是如果采用负电压,可以增加关断可靠性,还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos,-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有...
n
MOS管
栅极
电压
答:
nMOS:Vth=0.7V ,pMOS:Vth=-0.8V。MOSFET阈值
电压
V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时,表面沟道中的导电电子很少,反型层的导电能力较弱,因此,漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为...
为
什么vgs
有正负极之分?
答:
p
mos管的vgs
同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负
电压
关断,但是如果采用负电压,可以增加关断可靠性,还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos,-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零,说明晶体管沟道全开,也就是处于线性区。只有一种Vod大于零,说明晶体管沟道半开(在DS任意一端没打开有...
MOS
导通
电压
答:
温度的影响不容忽视 温度的变化对
MOS管
导通电阻有着显著的影响,进而间接影响压降。高温可能会导致电阻增大,压降上升,反之亦然。在实际应用中,必须考虑到环境温度变化对压降的潜在影响。以IRF540NPbF功率管为例,其最大漏极源极导通电阻为44毫欧姆(44mΩ),当栅极
电压
(
VGS
)为10伏特,且通过的电流...
MOS管Vgs
过大,
什么
后果
答:
Vgs
标称耐压一般在20~30v左右,过高管子会击穿啊,Vgs过高会击穿SiO2氧化层,从而使G和衬底短路,沟道永久性破坏掉,烧管子造成了永久性破坏
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