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mos管的体二极管反向恢复电流
功率二极管和
MOSFET体二极管的反向恢复
特性
答:
MOSFET的反向恢复
特性则更为复杂,尤其是在氮化镓等新型器件中。设计原则强调了VDS选择和漏极
电流
控制,同时散热、功率管理和结温限制同样重要。MOSFET的开关损耗包括导通和截止损耗,以及硬开关和软开关的不同阶段损耗,如驱动损耗和Coss泄放损耗。在实际应用中,例如在驱动电流Ip1的计算中,考虑到FLYBACK电...
怎样抑制
mos体二极管反向恢复
答:
在反向电场作用下,P区电子被拉回N区,N区空穴被拉回P区,形成反向漂移电流;与多数载流子复合
。②体二极管的反向恢复的抑制和改善 在实际应用中,从以上分析可以总结出关于MOSFET体二极管在实际应用中的应用要领:优化布线减小线路的寄生电感,从而减小在反向恢复过程中的Ringing 调整开关速度来控制反向恢复...
关于
二极管的
反向恢复电流
答:
图2是图1开关电源中输人整流桥二极管和输出
二极管的
电流idc和iD波形。可见前者
的反向恢复电流
的最大值仅为50mA,而后者反向恢复电流的幅值达12A,而且持续时间短。显然,作为电磁干扰源来考察,后者形成的干扰强度大,而且频带也宽得多。另外,整流桥二极管产生的电压跳变,也远小于功率
MOSFET
开关管导通和...
二极管
有
反向恢复电流
,请问反向恢复电流方向是什么?
答:
因反向恢复电流是指在二极管正向导通,并具有指定的电流值
,突然加上反向电压,由于刚才导通时还有大量的载流子存在,它们在反向电压下会反向流动,产生巨大的“反向恢复电流”,直到把残余的载流子消耗完,达到稳定就算“恢复”了,这时就只剩下“反向电流”了。
什么是
二极管的反向恢复
时间和
反向恢复电流
答:
其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。那么其上升下降的时间就是反向恢复时间,峰值电流就是反向恢复电流
。这个在高频率的应用中会带来很大损耗。而反向恢复时间和电流和二极管截止时,正向电流的下降速率正相关。解决这个问题,一就是用恢复时间更快的二极管,二是采用ZCS方式关断二极管 ...
MOS管
可以双向流通
电流
,
反向
时电流是流过沟道还是
体二极管
答:
MOS管
导通后,
反向
时主要是流过沟道,因为
体二极管
本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了。
mos
晶体
管的MOS
晶体管 -
MOS管的
开通过程
答:
开关电流上升的斜率和
二极管电流
下降的斜率的绝对值相同,符号相反;在阶段3开关电流继续上升,二极管电流继续下降,并且二极管电流符号改变,由正转到负;在阶段4,二极管从负的反向最大电流IRRM开始减小,它们斜率的绝对值相等;在阶段5开关管完全开通,
二极管的反向恢复
完成,开关管电流等于电感电流。电介质在...
为什么
二极管
会有
反向恢复
特性
答:
PN结内积累的电荷将释放并形成一个
反向恢复电流
,它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。因此,输出整流
二极管的
反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。可以通过在二极管两端并联RC缓冲器,以抑制其反向恢复噪声....
二极管反向恢复电流
为什么先增大后减小
答:
先增大是因为PN结内电子移动造成,电压越高
电流
越大,但随着电流的流动内部
反向
电场电压迅速上升,反向电场升高阻碍电流流动,所以电流又减小了。(最后只剩下漏电流,电压再高就击穿了)
什么叫
体二极管
答:
你问的应该是,
MOS管
内部的二极管,
反向
导通。一般MOS管,衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向,这个流向可以表示为二极管,即
体二极管
。然而S和衬底是连在一起的,所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。NMOS中,体二极管方向是衬底向D(D极是N型材料),极S向D;PMOS中,方向为D向S...
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