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igbt应用
什么是IPM
答:
IPM的投入
应用
比
IGBT
约晚二年, IPM是采用微电子技术和先进的制造工艺,把智能功率集成电路与微电子器件及外围功率器件组装成一体,能实现智能功率控制的商品化部件。其优点是: ①开关速度快,驱动电流小,控制驱动更为简单; ②内含电流传感器,可以高效迅速地检测出过电流和短路电流,能对功率芯片给予足够的保护...
ups中滤波器和整流器的作用
答:
UPS,整流和逆变不是采用晶闸管而是采用
IGBT
。IGBT是一种新型复合电力电子器件,驱动灵活、耐压高(1200V),通过电流大(1000A),工作频率高达100kHz,在大功率UPS中得到广泛
应用
。由于采用了IGBT,又有计算机控制技术来控制IGBT的通断,使得UPS输入电压与输出电压保持同步,使其功率因数cosφ=1,减少UPS输入端的整流...
电磁炉
IGBT
代换:H15R1203怎样代换?
答:
\x0d\x0a目前458系列因应不同机种采了不同规格的
IGBT
,它们的参数如下:\x0d\x0a\x0d\x0a(1) SGW25N120---西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以
应用
时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管...
中国的国产芯片有哪些
答:
斯达半导:
IGBT
里边的龙头股 该公司是我国IGBT领域领军企业和唯一进入全球前十的IGBT模块供应商,其次,该公司的IGBT产品广泛
应用
于新能源、汽车电子、家用电器等领域,是电力行业的CPU。自成立以来。公司把市场为导向,技术为支撑,从而不断的研究出更加优秀的半导体芯片。 观点:该公司是IGBT里边的龙头股,目前,该公司的...
表面淬火的感应加热法
答:
由涡流所产生的电阻热使工件表层被迅速加热到淬火温度,随即向工件喷水,将工件表层淬硬。其加热速度极快,通常只有几秒钟。实际
应用
中的电流频率从50Hz到500KHz都有。其中,50Hz到10KHz为中频,以可控硅(晶闸管)为主,用于淬硬层深度较深的,如轧辊等;10KHz到50KHz左右,为超音频,以
IGBT
为主,应...
覆铜(DBC)陶瓷基板工艺和
应用
答:
这种现象对器件的稳定运行构成了挑战。然而,直接覆铜(DBC)陶瓷基板的出现,以其卓越的导热和导电性能,成为了电子封装领域的一股新势力,尤其是在功率模块(如
IGBT
)和集成电力电子模块中扮演着关键角色。本文将深入探讨DBC陶瓷基板的工艺、原理和
应用
价值。DBC工艺的演变始于20世纪70年代,由J.F.Burgess...
开关的整流和脉宽调制靠什么器件
答:
其主要缺点是高压
IGBT
内阻大,通态电压高,导致导通损耗大;在
应用
于高(中)压领域时,通常须多个串联。1.5 集成门极换流晶闸管(IGCT)和对称门极换流晶闸管(SGCT)IGCT是在GTO的基础上发展起来的新型复合器件,兼有MOSFET和GTO两者的优点,又克服了两者的不足之处,是一种较为理想的MW级的高(中...
功率半导体器件和一般器件的区别?
答:
功率半导体器件和一般半导体器件之间存在一些重要的区别。这些区别主要涉及其设计、性能和
应用
。以下是功率半导体器件与一般半导体器件之间的主要区别:1. 电压和电流承受能力:- 功率半导体器件的主要特点是能够承受高电压和高电流。它们通常设计用于高功率应用,如电力传输、电动汽车控制和工业设备。这些器件能够...
如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应
答:
因为G-E间增加电容,驱动电源功耗会增加,相同的门极驱动电阻情况下
IGBT
的开关损耗也会增加。采用负电源以提高门限电压 采用门极负电压来安全关断,特别是IGBT模块在100A以上的
应用
中,是很典型的运用。在IGBT模块100A以下的应用中,处于成本原因考虑,负门极电压驱动很少被采用。典型的负电源电压电路如图...
抱闸激励器有什么用
答:
抱闸激励器有很多种。其中一种常见的类型是直流电抱闸激励器。这种抱闸激励器可控硅器件,它可以通过改变控制信号的大小和极性来改变电流的方向和大小。另一种常见的抱闸激励器是交流电抱闸激励器,它使用三相交流电源。此外,还有一些其他类型的抱闸激励器,例如功率场效应晶体管抱闸激励器和
IGBT
抱闸激励器。
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