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igbt工作特点
IGBT的特点
有哪些?
答:
IGBT的特点
:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全
工作
区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1...
IGBT的
优点有哪些?
答:
IGBT的特点
:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全
工作
区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1...
IGBT
有哪些
特点
?
答:
IGBT的特点
:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全
工作
区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1...
IGBT
模块的
特点
有哪些?
答:
IGBT的特点
:1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds(on)的10%。4.击穿电压高,安全
工作
区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1...
电力半导体件
IGBT
有哪些
特点
?
答:
3、较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。6、与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。IGBT也具有若干重大的的缺点:1、因为
IGBT工作
时,其漏极区(p+区)将要向漂移区(n-...
igbt
是什么
答:
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后
的IGBT
模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等
特点
;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能...
电力半导体件
IGBT
有哪些
特点
答:
⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n+层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。IGBT也具有若干重大的的缺点:① 因为
IGBT工作
时,其漏...
igbt
是什么
答:
igbt模块是由igbt(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后
的IGBT
模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等
特点
;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说
的igbt
也指IGBT模块;随着节能...
IGBT
IGCT具有哪些
特点
答:
IGCB 更多用于超高功率(兆瓦级)的电气设施中。IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等
特点
IGBT
综合了GTR、MOSFET两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,载流密度大等特点
igbt
是什么意思
答:
它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常
工作
于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在
IGBT的
栅极...
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