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MOS漏电流Iboff
mos
管
漏电流
一般多大
答:
0.2微安至3微安。根据查询电子发烧友网显示,理想的
mos
晶体管不应该有任何
电流
流入衬底或阱中,当晶体管关闭的时候不应该存在任何的电流,但是现实中
MOS
却存在各种不同的漏电流,漏电流在0.2微安至3微安之间。
MOS
管漏极
漏电流
是多少
答:
MOS
管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的
漏
极
电流
通常由以下公式计算:ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表漏极电流(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VG...
mos漏电流
和接触电极面积有关系吗
答:
有关系。
MOS
场效应管的
漏电流
是指在零偏压下,漏极与源极之间的电流。漏电流可以通过改变MOS管的结构参数来控制,其中接触电极面积是一个重要的因素。
mos
管电路工作的原理是什么及详
答:
MOS
管由两个基极和一个漏极组成,其中基极之间形成一个控制
电流
的通道。当通道的控制电压较低时,通道内的电流较小;当通道的控制电压较高时,通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释:图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时,MOS管的通道内的电流较小...
mos
管饱和区
漏
极
电流
不饱和原因
答:
沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。当
MOSFET
进入饱和区之后,
漏电流
发生不饱和现象,其中主要的原因有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。因此即使是处于饱和区的mosfet也会由于这些因素,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。
增强型
mos
管为什么不存在饱和
漏电流
答:
原因如下:1、在最大电流下晶体管处于开启状态,电流受阻的是栅极的电流,而非漏极电流。2、在增强型
MOS
管的设计中,为了避免
漏电流
过大,会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。
场效应管(MOSFET)检测方法与经验
答:
具体方法:用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接
漏
极D,给场效应管加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极
电流Ib
都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以...
栅极
漏电流
什么量级
答:
而
MOS
管的栅极电流非常小,趋于零(对于 2N7002,直流情况下,栅极
漏电流
在 10nA级),这样一来,在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。因此,比较电流增益就显得没有意义。基于以上讨论,我们说所谓的"同等情况"需要满足以下几点:MOS管为增强型 NMOS管,Bipolar三极管为 NPN型;MOS管放大器为共源极组态,...
场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?
答:
1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路
电流
的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2.场效应管工作原理就是“
漏
极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道...
目前
mos
管最小沟道长度能做到多少,集成电路工作电压是多少,pn结反偏时...
答:
10纳米,不过现代cmos已经是finfet了,属于3D结构。明年或者后年,三星和TSMC要试产7纳米了。核心工作电压很低,只有0点几伏了,为了降低功耗。
漏电
是由于势垒电压增加引起的少子导电引起的。
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