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20n60c参数
zgmx
20n60c参数
答:
场效应管
20N60
(650V/20.7A/208W)是一带阻的N沟道场效应管,应以 H20T120、 HW20T120、 H20R1202 、H20R1203、 GT40T301代换为妥。
20N60C
管可否用600N60Z替换?
答:
20N60C是45A/600V(IGBT)
,600N60Z是7.4A/600V场效应管,不能替换。
20n60c
3引脚
参数
答:
20n60c3引脚参数是40A/600v
。根据查询相关资料信息可知,20n60c3引脚参数参数是40A/650V的三极管20N60S5来代换。8024电源管理芯片的引脚参数是工作电压24伏,工作电流10安培,输出功率12瓦。
20n60c
3场效应管
参数
功率
答:
208W
。20n60c3场效应管参数功率是208W,在高压MOS管能够让AC/DC开关电源芯片保持稳定工作,从而让开关电源保持输出电源稳定。20n60c3大管和小管功能是一样的,因为20n60c3无论大管还是小管都是场效应管管子。
MOS管
20N60
的
参数
有谁知道
答:
20A,600V就是
20n
的电流 600v的电压 N通道IGBT*集电极-发射极击穿电压:600V* 集电极电流:45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功
FGA25N120ANTD代换
20N60C
3
答:
20N60C
3的主要
参数
是:Vces=600V、Ic=20A、Po=164W,而FGA25N120ANTD的主要参数是:Vces=1200V、Ic=50A、Po=150W,只从主要参数看是没有问题的。不过FGA25N120ANTD的C、E之间有保护二极管的,应该注意。
20n60c
3
参数
及代换
答:
20n60c
3 采用的是高通骁龙865处理器,这款处理器采用13星七纳米制造工艺,支持5G双模全网通功能,但是功耗比较高,另外它支持WiFi六的网络连接模式,支持uf3.1的闪存模式,另外内置的4600毫安电池支持65w的快速充电。
20n60c
的管子需要多大的取样电阻
答:
20n60c
的管子需要多大的取样电阻1根据电路取样值来决定的,如使用在电动车充电器上的取样电阻在0.5∽1Ω之间
sd
20n60参数
及代换
答:
Sd20n60的
参数
为20 A600V,可代换SPP
20N60c
3的管子均为特性相同m0S管。
20n60c
3和22N60NT可以代换吗?
答:
后者可以代换前者,后者电流较大为22安,前者电流
20
安,耐压都是600V。
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