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20n60引脚参数
20N60
的
参数
答:
ContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12.5APowerDissipation功率损耗Pd:74W StaticDrain-SourceOn-Resistance导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ0.31QMax0.38Q2JunctionandStorageTemperatureRange温度范围:-55~+150°℃
20N60
场效应管/TO-220封装尺寸:
MOS管
20N60
的
参数
有谁知道
答:
20A,600V就是
20n
的电流 600v的电压 N通道IGBT*集电极-发射极击穿电压:600V* 集电极电流:45A*集电极脉冲电流:300A*耗散功
k3683能代换
20n60
吗?
答:
20n60的参数为:{'N沟道': {
'最大漏源电压 (V)': 60, '最大栅源电压 (V)': -20, '最大漏极电流 (A)': 7.6
, '最大耗散功率 (W)': 150, '最高结温 (℃)': 150}} 比较k3683和20n60的参数,可以发现它们的最大漏源电压、最大耗散功率和最高结温都相同。但是k3683的最大栅...
MOS管20N50E能用
20N60
代换吗?这两管
参数
是多少?
答:
FMC20N50ES:ID20A(持续)、80A(峰值)、耐压500V,耗散功率270W,Rd(on)0.27欧。N沟道MOSFET
20N60
:ID20A(持续)、80A(峰值)、耐压600V,耗散功率300W,Rd(on)0.38欧,N沟道MOSFET。从
参数
上可以替代,稍微调试一下看看。
20N60
A4D这个型号的场效应管的
参数
是多少,这个型号里面的每个数字字母...
答:
种类: 结型(JFET) 沟道类型:
N
沟道 导电方式: 耗尽型 用途: MOS-HBM/半桥组件 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: ALGaAS铝镓砷 开启电压: 22(V) 夹断电压: 22(V)跨导: 22(μS) 极间电容: 22(pF)低频噪声系数: 22(dB) 最大漏极电流: 22(mA)最大耗散功率: ...
cs
20n60参数
及代换
答:
cs
20N60
的
参数
是650V.20.7A.208W,是一带阻的N沟道场效应管。根据查询相关资料信息可用H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301代换。
sd
20n60参数
及代换
答:
Sd
20n60
的
参数
为20 A600V,可代换SPP
20N60
c3的管子均为特性相同m0S管。
jfam
20n60
c
参数
答:
jfam
20n60
c
参数
是:耐压600V、电流20A、功率208W。根据查询相关信息显示:
20N60
C场效应管参数:耐压600V、电流20A、功率208W。是一带阻的N沟道场效应管,应以H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301代换。
20n60
场效应管
引脚
顺序
答:
D,S,G。金属封装的三根
引脚
场效应管,在管壳上有一个凸起,将引脚朝上,从突出尖开始顺时针方向依次为D,S,G极,其中D,S极可互换。
K2651三极管可以用
20N60
代用吗?
答:
①、关于以上这款K2651场效应管,是不可以用20N60场效应管代用的,原因是,那K2651场效应参数是//耐压:900V//电流:6A//。而那
20N60参数
//耐压:600V//电流:20A//,所以这电流没问题,但是耐压太低,所以建议选择原来规格的场效应管更换即可。
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