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金属半导体金属光电探测器
平衡探测器-
半导体光电探测器
的原理及其应用
答:
光电探测器
,如同光与电的桥梁,是现代科技中的重要元件。它的核心原理是利用
半导体
材料将光信号转化为电信号,广泛应用于光纤通信、光纤传感、激光测距等诸多领域。这些探测器家族种类繁多,包括光敏电阻、光电二极管、三极管等,各有其独特的特性和优势。首先,让我们走进光电导型探测器的世界。以光敏电阻为...
半导体探测器
的基础知识有哪些?
答:
4.对
半导体探测器
的要求气体探测器:在电离室中产生一个电子—离子对,大约需要能量ε≈30eV;半导体探测器:在晶体中产生一个电子—空穴对,大约需要能量ε≈3eV;闪烁体探测器:在
光电
倍增管光阴极上,产生一个
光电
子,大约需要能量ε≈300eV。 半导体探测器产生一个电子—空穴对需要的能量ε越小,能量分辨率越高。产生...
光电探测器
答:
电荷耦合器件(CCD),高灵敏度的光电存储大师CCD以其高灵敏度的MOS结构著称,由
半导体
材料打造,它巧妙地通过存储和转移电荷来转换光信号,这种设计使得CCD在图像捕捉和科学测量中占据重要地位。四象限
探测器
(QD),精细分辨率的光斑追踪者QD则像是
光电探测
的精细版,通过四象限划分,每个象限对应不同的光...
光电探测器
答:
形成了良好的
金属
与
半导体
欧姆接触。本文通过对Al InGaN/GaN PIN紫外
光电探测器
的研究,详细介绍了其结构设计和制作工艺,以及其器件的测试结果。2 问题分析和解决方案 目前,紫外光电探测器一般采用Al GaN/GaN结构。随着Al GaN中的Al组分增加及响应波长的减小,Al GaN和GaN之间的晶格失配变大,应力增大,...
光电探测器
的主要应用
答:
光电
导
探测器
photoconductive detector 利用
半导体
材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要...
研究人员制备出高探测率、快响应速度等离热电子光
探测器
答:
光可以在
金属
表面激发出等离基元,等离基元可以进一步激发出高能热电子,这些热电子可以越过金属/半导体肖特基结形成电流,进而实现光向电的转变,并实现
光电探测
。由此,人们近期发展了一种新的由金属/半导体肖特基结组成的等离热电子光探测器。相对于传统的
半导体探测器
,这种探测器具有特殊优点:它能够探测...
光电探测器
的技术指标
答:
1.
光电探测器
在应用选择时,需与辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配。例如,紫外波段可选用电光倍增管或专用紫外
光电半导体
器件;可见光信号可使用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件;红外信号则适合光敏电阻,近红外可选用Si光电器件或光电倍增管。2. 光电转换特性必须与入射辐射能量相匹配。在选择器件...
金属
与二维
半导体
材料的接触
答:
欧姆接触与肖特基接触的差异 欧姆接触犹如无缝对接,
金属
与
半导体
间无势垒阻碍,电子和空穴能自由穿梭,形成直线电流-电压关系,遵循欧姆定律。这种接触的电阻极低,对于
光电探测器
和晶体管的高效运作至关重要。然而,肖特基接触则携带着肖特基势垒,电流-电压曲线表现出非线性,电压低时电流增长缓慢,随着电压...
光电探测器
的性能参数
答:
光伏
探测器
的响应率随入射光波长的变化而变化。硅制成的光伏探测器在0.8-1.0微米波长范围内性能最佳,但对于1.3或1.55微米红外辐射响应不足。锗探测器虽可响应至1.7微米,但暗电流较高,噪声较大。对于波长超过1.0微米的辐射,需要使用Ⅲ—Ⅴ和Ⅱ—Ⅵ族化合物
半导体
。5. 扩散时间
光电
流的形...
半导体
薄膜有哪四个种类组成?
答:
合金
半导体
薄膜是由两种或多种半导体材料混合制备的材料。这种薄膜具有更丰富的能带结构和电子能级,能够调节器件的光电性能,例如金属-半导体-
金属光电探测器
、量子阱激光器等。3. 化合物半导体薄膜 化合物半导体薄膜是由两种或多种含有不同化学元素的化合物组成的半导体材料,例如氮化镓(GaN)、磷化铟(InP...
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