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载流子浓度和迁移率
载流子
的
迁移率
和
浓度
的单位分别是什么
答:
迁移率
是指
载流子
(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;运动得慢,迁移率小。同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下,轻参杂硅材料中,电子的迁移率为1350cm^2/(VS)...
霍尔效应
载流子浓度
大致多大
答:
霍尔效应
载流子浓度
为0.968(×1021/m3)。实验测得的电导率为0.091(1/Ω·m),霍尔系数为6610(m3/C),霍尔元件的载流子类型为N,载流子浓度为0.968(×1021/m3),霍尔元件的
迁移率
为601.51(m2/V·s)。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导体内的电荷载子受到洛伦兹力...
为什么半导体掺杂后
载流子浓度和迁移率
随掺杂浓度同时升高或降低_百 ...
答:
子浓度减小;当升高温度,少数
载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复 合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度 将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因 此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基 本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.当然,在温度高到使得本...
ito
载流子浓度和迁移率
答:
载流子浓度(1021cm-3)和电子
迁移率
(15~45cm2V-1s-1)。形成1020至1021cm-3的
载流子浓度和
10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω,cm数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO薄膜是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学...
分析本征半导体电阻率与
载流子浓度迁移率
和温度有什么关系
答:
决定 电阻率温度关系的主要因素是
载流子浓度和迁移率
随温度的变化关系。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但...
...
载流子浓度
n、电导率σ及
迁移率
的计算公式,并注明单位
答:
霍尔系数Rh=U*d/IB, U为霍尔电压,单位mV,d为霍尔元件厚度,单位为μm,I为工作电流,单位为mA,B为磁场强度,单位为T
载流子浓度
n=1/|Rh|
迁移率
=Kh*(L/l)*(I/U )L为霍尔元件长度,U为工作电压,I为工作电流。Kh为霍尔元件灵敏度,Kh=U/IB, U为霍尔电压,I为工作电流,B为磁场...
从
载流子浓度与迁移率
说明室温下电导性最好的材料是谁
答:
半导体材料。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,半导体材料的电导性越好。从
载流子浓度与迁移率
说明室温下电导性最好的材料是半导体材料。电流载体,称载流子。在物理学中,载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒,如电子和离子。在半导体物理学中,电子流失导致共价键上留下的空位(空穴引)被视为载流子...
迁移率
的物理意义是什么?它由什么因素决定
答:
迁移率
是单位电场强度下所产生的
载流子
平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小,它和载流子(电子或空穴)
浓度
决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关,不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0(m0是自由电子质量...
什么是
迁移率
,影响迁移率的因素有哪些
答:
根据百度百科资料显示,1.
迁移率
是指单位电场强度下所产生的
载流子
平均漂移速度。2.影响迁移率的因素有能带构造〔载流子有效质量〕、温度和各种散射机构。迁移率代表了载流子导电能力的大小,它和载流子(电子或空穴)
浓度
决定了半导体的电导率。溶液中带电粒子在电场E中向着相异电荷的电极移动,它的移动速度...
半导体散射机构如何影响
载流子迁移率
进而影响半导体导电性。
答:
主要是掺入的杂质种类和数量、以及工作温度,从而影响到
载流子浓度和迁移率
,结果使得半导体的电导率发生变化。迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;运动得慢,迁移率小。同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,...
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