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硅二极管的死区电压
硅二极管的死区电压
是()v。
答:
硅二极管的死区电压通常是0.5V左右
。详细解释如下:死区电压,也被称为门槛电压或开启电压,是二极管开始导通前必须克服的电压。对于硅材料制成的二极管,这个电压大约是0.5V。当二极管两端的正向电压小于这个值时,二极管基本上不导电,处于截止状态。一旦正向电压超过这个阈值,电流就会开始流动,二极管进入导...
硅二极管的死区电压
是多少?
答:
一般硅二极管的死区电压约为0.5V
。死区电压也叫开启电压,是应用在不同场合的两个名称。死区电压,指的是即使加正向电压,也必须达到一定大小才开始导通,这个阈值叫死区电压,硅管约0.5V,锗管约0.1V。(硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料,硅管较多,锗管较少)。二极管的分类 需要注意二...
硅
管
的死区电压
是多少
答:
硅管的死区电压约为0.7V
。硅管(也称为硅二极管)是一种常见的半导体器件。它通常具有一个正向工作区和一个反向截止区。当硅管处于反向偏置时,需要达到一定的电压才能使其进入截止状态,此电压被称为死区电压。对于典型的硅管,其死区电压约为0.7V,然而具体数值会因不同的硅管类型和制造商而有所...
2.
硅二极管的死区电压约为 伏
,正向导通压降约为 伏。
答:
硅二极管的死区电压约为 0.6伏
,正向导通压降约为0.7 伏。
硅二极管的死区电压
和导通电压分别为多少?反向饱和电流为多少数量级...
答:
一般来说,
小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V
,导通电压为0.6-0.7V,反向饱和电流一般是uA这个数量级。
比较
硅二极管
与锗
二极管的死区电压
、正向管压降、反向电流及反向电阻...
答:
硅二极管的死区电压一般为
0.7V
,而锗二极管的死区电压一般为0.3V。正向管压降硅二极管一般为0.7V,而锗二极管一般为0.3V。反向电流硅二极管一般为几微安到几毫安,而锗二极管一般为几毫安到几十毫安。反向电阻硅二极管一般为几十兆欧姆,而锗二极管一般为几百兆欧姆。因此,在这些参数方面,硅二极管...
...锗为主要材料制成的
二极管
,分别
的死区电压
、导通电压为多少?_百度...
答:
正向加电压时,如果是P型半导体,空穴参加导电,N型半导体电子参与导电。硅为主要材料制成的二极管,死区电压0.6V左右、导通电压为
0.7V
左右。锗为主要材料制成的二极管,死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。
什么是
二极管的死区电压
?为什么会出现死区电压
答:
由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力,故正向电流很小,几乎为零;当正向电压超过一定数值后,内电场被大大削弱,电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压;其大小与材料及环境温度有关。通常锗管
的死区电压
约为0.2 V,
硅
管的死区电压约为0.5 V。
二极管的死区电压
是多少?
答:
对于硅二极管,死区电压通常在0.5到0.7伏特之间,
最常见的数值是约0.6伏特
。这个范围可以根据制造工艺、温度和其他因素而略有不同。对于锗二极管,其死区电压较低,一般在0.2到0.3伏特之间。需要注意的是,在实际应用中,二极管的压降会因二极管类型(例如普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、...
一般硅、锗
二极管的死区电压
为多少?导通电压后又是多少
答:
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V,硅管0.5~
0.7V
。但是实际二极管并不理想,不是按照某一个电压分解导通与否,而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。下面是1N4007硅二极管实际电压和正向电流关系,差不多电流每增加10倍,电压增加0.1V:uA量级——0.4V;mA量级——0.7V;A量级——1V...
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