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氢气还原氯化氢硅
氯化硅
和
氢气
反应的
还原
剂是什么?
答:
氯化硅(SiCl4)和氢气(H2)反应通常需要还原剂来促进反应进行
。在这种情况下,常用的还原剂是金属,例如铝(Al)。反应的化学方程式如下:SiCl4+2Al+2H2−>Si+4HCl+2AlCl3 在这个反应中,氯化硅(SiCl4)和氢气(H2)在金属铝的存在下反应,生成硅(Si)、氢氯酸(HCl)和氯化铝(AlCl3)...
三氯
氢硅氢还原
法优缺点
答:
三氯氢硅氢还原法优缺点:使用四氯化硅与氢气反应生产多晶硅的反应比较难,比三氯氢硅与氢气反应难,能耗很高。优点是效果好
。在生产中,一般将氯化温度控制在450~500℃,这样一方面可提高生产率,另一方面可保证质量,因为温度低时不仅反应速度慢,而且有副产品Si2Cl6、Si3Cl8等生成,影响产品纯度,但...
...材料必须先得到高纯
硅
.三氯甲硅烷(SiHCl3)
还原
法是当前制备高纯硅...
答:
(1)①氢气和纯SiHCl3反应生成高纯硅和氯化氢:SiHCl3+H2 1357K . Si+3HCl
,故答案为:SiHCl3+H2 1357K . Si+3HCl;②SiHCl3和H2O剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,分析它们化合价的变化可知,,而Cl的化合价未发生变化,因此另一种元素即H元素的化合价必定降低,即另一种物质是H2,SiHCl3...
粗
硅
的提纯如何反应?
答:
SiHCl3+H2=高温=Si+3HCl 【氯化再氢气还原】原料贵,反应较容易
。Si+2Cl2=加热=SiCl4 SiCl4+2H2=加热=Si+4HCl 希望对你有帮助O(∩_∩)O
单晶硅,多晶硅生产流程。
答:
6. 三氯氢硅氢还原工序:精制的三氯氢硅与氢气混合,在三氯氢硅汽化器内加热汽化,送入还原炉内
。在还原炉内,三氯氢硅发生氢还原反应,生成硅沉积下来,使硅芯/硅棒的直径逐渐变大。7. 还原尾气干法分离工序:还原尾气被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体,分别循环回装置使用。8. 四氯化硅...
为什么三
氯化硅
和
氢气
在高温中反应生成硅单质和
氯化氢
,硅单质不加沉淀...
答:
而CVD中需要有基底(对反应气体有物理吸附作用),反应发生时,氢气和三氯
氢硅
的混合气在还原炉内通过基底,基底对三氯氢硅发生吸附,吸附后的三氯氢硅各化学键被削弱,从而被
氢气还原
,还原的工程中其他的三氯氢硅分子又被吸附到已经还原出来的硅上,从而使得硅逐渐增多,基底慢慢“长大”。从描述中...
改良西门子法生产多晶硅的工艺流程
答:
在三氯
氢硅
合成工序中,原料硅粉经过一系列的处理后,被送入三氯氢硅合成炉进料管。在这里,硅粉与前面工序制得的
氯化氢
气体反应,生成三氯氢硅。随后的工序包括合成气的干法分离、氯硅烷的分离提纯,以及三氯氢硅的
氢还原
。在这些步骤中,合成气被分离提纯,去除杂质,然后三氯氢硅被
氢气还原
,生成...
三氯硅烷和
氢气
反应为什么不用加沉淀符号
答:
三氯硅烷和
氢气
反应属于氧化
还原
反应,生成离子晶体和
氯化氢
气体,所以不用加沉淀符号。三氯硅烷与氢气反应方程式:三
氯化硅
+7氢气=2四氯化硅+6氯化氢。
三氯甲硅烷和
氢气
生成什么
答:
SiHcl3+H2=Si+3
HCl
(高温条件下)
HCL
再和粗Si在300度的条件下生成三氯甲硅烷和
氢气
。该反应是一可逆反应。反应达到一定平衡后就会达到动态平衡。制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)
还原
法,即通过上面化学得到单质硅是当前制备高纯硅的主要方法。
三氯
氢硅
在
氢还原
炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅 是怎么反应的_百度知 ...
答:
从三氯
氢硅
汽化器来的三氯氢硅与氢气的混合气体,送入还原炉内。在还原炉内通电的炽热硅芯/硅棒的表面,三氯氢硅发生
氢还原
反应,生成硅沉积下来,使硅芯/硅棒的直径逐渐变大,直至达到规定的尺寸。氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四
氯化硅
、
氯化氢
和氢气,与未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原...
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