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晶体管的输入输出特性曲线
晶体管的特性
用
曲线
和 曲线表示。
答:
晶体管特性通常用i-v曲线和h参数曲线来表示。i-v曲线是
晶体管的输出特性曲线
,它是指晶体管的集电极电流(i_c)与集电极-发射极电压(v_ce)之间的关系曲线。i-v曲线可以反映晶体管的放大特性和非线性特性。当晶体管在放大区工作时,i-v曲线呈现出一个近似线性的区域,这个区域的斜率就是晶体管的...
什么是
三极管的输出特性曲线
?
答:
晶体管的
转移特性曲线是描述
三极管的
各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式,其特点是能直观,全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。
输出特性曲线
表示集电极一发射极电压对集电极电流的影响,其斜率代表晶体管输出电阻rce。输出特性曲线该曲线表示基极电流Ib一定时,
三极管输出
电压Uec与输出电流Ic之...
三极管
共射特性曲线(
输出特性曲线
)
答:
输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下,基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系,即 (5-3)
三极管的输入特性曲线
如图5-6所示。由图5-6可见NPN型三极管共射极输入持性曲线的特点是: BE虽己大于零,但iB几乎仍为零,只有当uBE的值大于开启电压后,iB的值与二极管一样随uBE的增加...
电子元器件
三极管的特性曲线
关系
答:
输出特性曲线
的数学关系式为: 由图还可以看得出,输出特性曲线可分成3个区域:(1)截止区:指IB=0的那条性能曲线以下的区域。在这一区域里,
三极管的
发射结和集电结都位于反向偏置模式,三极管失去了放大功能,集电极只有细微的穿透电流IcEO。(2)饱和区:指绿*...
温度升高,
晶体管的输入特性曲线
的间隔
答:
增大。温度升高时,
晶体管
的共射
输入特性曲线
将上移,
输出特性曲线
将左移而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
晶体管的输出特性曲线
分为哪三个区
答:
截止区、放大区、饱和区。1、截止区:指
晶体管输出特性曲线
中
晶体管输入
电流为0所对应曲线下方的区域。2、放大区:指晶体管输出特性曲线中每条曲线近似水平部分的集合所对应的区域。3、饱和区:指集电结和发射结均正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域。
温度升高时,
晶体管
共射
输入特性曲线
为什么左移,
输出特性曲线
为什么
答:
UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样,即:温度每升高1℃,UBE减小2~2.5mV。而IB基本不变,所以
输入特性曲线
随温度升高向左移。
晶体管的输入特性曲线
答:
Uce的导通电压是由
管子的
偏压Ube决定的。
晶体管输出特性曲线
的物理意义
答:
如下:
输出特性曲线
中,每一条曲线代表了一个特定的IB值,也就是基极电流值。在放大区中,不同的基极电流对应了不同的集电极电流,但每一组数据的比值
晶体管输出特性曲线
的线性区域是什么
答:
晶体管输出特性曲线
的线性区域是:1、截止区:IB=0曲线以下区域,几乎与横轴重合;工作状态为截止状态C和E极间相当于开关断开。 2、放大区:平坦部分线性区,几乎与横轴平行;工作状态为放大状态。3、饱和区:曲线上升和弯曲部分;饱和状态C和E极间相当于开关接通。
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