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晶体管测试仪原理图
晶体管
特性
图示仪
的
原理
答:
1.二极管伏安特性的
测试原理
流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线(正向区)可知,当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时,二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。...
pnp工作
原理图
讲解
答:
PNP
晶体管
的工作
原理图
如下所示:PNP晶体管工作原理图当外接电源Vcc的正极连接到P区时,P区会变成正电荷区,中间的N区会成为负电荷区。此时,如果在基极和发射极之间加上一个小电流,即基极电流Ib,就会使得基极与发射极之间的电阻变小,形成一个漏电流,即集电极电流Ic。这是因为Ib的流入会使得P区中...
单接
晶体管
如何正确测量
答:
有两种测量阈值的方法:第一种方法是将一个栅极设置为固定的高电压偏置,然后调节另一个栅极电压;第二种方法是调节第二栅极的电压使得它与被测试栅极上的电压维持在一个固定的电压差值。由于我们测试中使用的HP4156
测试仪
电压限制为100V,因此我们使用的是第一种方法。因此,如图4所示,为了测量多晶硅栅...
SRAM的工作
原理
图解
答:
一般说来,每个基本单元用的
晶体管
数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片(silicon wafer)的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的— 如3管甚至单管,但单管存储单元是DRAM,不是S...
9015三极管
原理图
管脚排列
答:
如图所示:9015 结构:PNP 集电极-发射极电压 -45V 集电极-基电压 -50V 发射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.1A 耗散功率 0.45W 结温 150℃ 特征频率 平均 300MHZ 放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
晶体管图示仪
怎样
测试
三极管
答:
图1.2.5 输出特性曲线 被测
晶体管
的集电极与集电极扫描电压源之间,用来调节流过晶体管的电流,从而限制被
测管
的功耗。
测试
小功率管时,一般选该电阻值为 1 kΩ 。“基极阶梯信号”:这部分信号是
图示仪
中所特有的、不同于示波器的部分。通过它给基极加上周期性变化的电流信号。每两级阶梯信号之间...
晶体三极管
的工作
原理
及电路图
答:
放大
原理
1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2、基...
饱和失真的原因是什么?
答:
饱和失真通常发生在电子放大器中,特别是当
晶体管
、场效应管等有源器件工作点设置不当或输入信号过大时。以下是饱和失真的原因和两张简化的示意图来辅助说明原因:1. 静态工作点设置过高:在共射放大器电路中,如果静态工作点(Q点)设置得太高,接近晶体管的饱和区,当输入信号的正半周期使晶体管的...
网线
测试仪
工作
原理
是怎样的?
答:
电路工作原理该网线
测试仪
电路由延时控制电路、分频控制电路和LED指示电路组成,如
原理图
所示。2.1 延时控制电路由时基集成电路ICl、可变电阻器RPl、按钮SIa、二极管VDO、
晶体管
VO、电阻器Rl-R3、电容器Cl-C3和继电器KO组成。2.2 分频控制电路由计数脉冲分频器集成电路IC2、复位按钮Slb、电阻器R4-R13、...
怎么用
晶体管
画与门、或门
原理图
答:
先要明白
晶体管
在 饱和和截止(即开关工作模式)的原理 然后根据数字逻辑知识,就可以画出来了 关键还是 Bjt 和Cmos FET的工作原理 ,这些模拟电路基础知识要懂才行 门电路都是晶体管开关电路
原理图
教科书上不都有吗,找本教材看啊 下面是个CMOS fet的与门图,或门原理也一样类似:...
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