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晶体管是电压驱动还是电流驱动
什么
是电压驱动
?什么
是电流驱动
?
答:
一些电子器件,如电子管和场效应管,输入的
电流
非常非常小,都是纳安甚至皮安级的,都可以忽略不计了,输出状态完全取决于输入的电压高低变化,包括用场效应管工艺制成的逻辑器件(CMOS电路),
都是电压驱动
的。双极性
晶体管
,输出状态完全取决于输入的电流大小,输入的电流一般是微安至毫安级的,包括用双...
场效应
晶体管驱动
设计,工程师必须掌握
答:
由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,
就要给场效应晶体管栅极更大的瞬间驱动电流
。大家常用的PWM芯片输出直接驱动场效应晶体管或者用三极管放大后再驱动场效应晶体管的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。比较好的方法是使用专用的场效应晶体管驱动芯片如TC4420来驱动MOS...
比较场效应管与双极型
晶体管
的特点
答:
场效应管是利用栅极电场的作用来工作的;是一种载流子——多数载流子工作的器件;在电流的主要通路(沟道)上不存在pn结;输入电阻接近无穷大;输入端不需要
电流驱动
,只需要电压即可,即
是电压驱动
的器件,输入回路简单等。双极型
晶体管管是
利用pn结注入载流子来工作的;是两种载流子(多数载流子和少数载流子...
电压驱动
型器件有哪些
答:
电压驱动型器件包括场效应管(FET)、绝缘栅双极晶体管
(IGBT)、电力场效应晶体管(电力MOSFET)等。这些器件主要通过对G、S端施加电压来控制D、S内部通道的宽窄,从而控制D、S两端的电流。电压驱动型器件具有开关速度快、开关损耗小、耐脉冲电流冲击能力强、通态压降低、输入阻抗高等优点。此外,它们具有...
GTO、GTR、MOSFET
和
IGBT四种
晶体管
有何优点和缺点?
答:
IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为
电压驱动
,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为
电流驱动
,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿...
电压驱动
型电力电子器件有哪些
答:
电压驱动
型电力电子器件主要包括金属氧化物半导体场效应
晶体管
(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。首先,MOSFET是一种电压控制
电流
型器件,具有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、工作频率高等优点。它的工作原理是通过在栅极上施加电压来控制源漏极之间的通断。当栅极电压大于阈值电压时,源漏极之间...
请问IGBT控制的
是电流还是电压
?
答:
IGBT本质
是电压
控制
电流
型器件!用作开关调制时,通过调整占空比来调整负载的电压。
三极管
是电压还是电流
控制的!
答:
晶体三极管
(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在
电压
刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其...
晶体管
的输入端和输出端输出的是什么?是电子
还是电流
?
答:
1-
晶体三极管
的输入端b(基极)、e(发射极)、c(集电极)输出。2-‘半导体晶体三极管’与‘玻壳电子管三极管’相比它们各为:a‘半导体晶体三极管’:
电流
控制元件。b‘玻壳电子管三极管’:
电压
控制元件。下图是‘半导体晶体三极管’以极小的基极I(电流)控制了较大的集电极I(电流)示意图:...
GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
答:
不存在二次击穿问题
电流
容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝缘栅双极
晶体管
)它综合了GTR和mosfet的优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为
电压驱动
,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。
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