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半导体器件基础安德森pdf
非晶态
半导体
的介绍
答:
非晶态
半导体
是具有半导体性质的非晶态材料引。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究,当时很少有人注意,直到1968年S.R.奥弗申斯基关于用硫系薄膜制作开关
器件
的专利发表以后,才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备...
半导体
雪崩光电二极管的雪崩二极管的发明
答:
1965年,K.M.约翰逊及L.K.
安德森
等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的
半导体
雪崩光电二极管。从此,雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测
器件
渐渐受到重视。性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离...
请问PN结光电二极管和PN结光电三极管中
半导体
材料的尺寸大小?
答:
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序,但是仍具有单晶体的微观结构,因此具有许多特殊的性质。1975年,英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功,使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级,促进非晶态
半导体器件
的开发和应用。同单晶材料相比,非晶态半导体材...
超导材料的应用
答:
通过对强磁场下半导体材料的光、电等特性开展实验研究,可进一步理解和把握半导体的光学、电学等物理性质,从而为制造具有各种功能的
半导体器件
并发展高科技作
基础
性探索。4.强磁场下极微细尺度中的物理问题极微细尺度体系中出现许多常规材料不具备的新现象和奇异特性,这与这类材料的微结构特别是电子结构密切相关。强磁场...
历届诺贝尔物理学奖获得者名单?
答:
107、2009年:美籍华裔物理学家高锟因为“在光学通信领域中光的传输的开创性成就”而获奖;美国物理学家韦拉德·博伊尔和乔治·史密斯因“发明了成像
半导体
电路——电荷藕合
器件
图像传感器CCD”获此殊荣 108、2010年:瑞典皇家科学院在斯德哥尔摩宣布,将2010年诺贝尔物理学奖授予英国曼彻斯特大学科学家
安德
烈·海姆和康斯坦丁...
计算机之父是谁?
答:
冯·诺依曼奠定了现代计算机的
基础
,被世人尊为“计算机之父”,但在谈到他的理论与构思时,他谦虚地说,这些理论与构思的基础来自于英国数学家图灵和布尔的思想。 午治·布尔(Boolean George)1847年发表《思维规律研究》创立逻辑代数学,成功地把形式逻辑归结为一种代数,布尔认为,逻辑中的各种命题能够使用数学符号来代表...
什么是非弹性隧穿电流?
答:
目前研制的量子共振隧穿晶体管就是利用量子效应制成的新一代
器件
。隧道二极管 隧道二极管是一种具有负阻特性的
半导体
二极管。目前主要用掺杂浓度较高的锗或砷化镓制成。其电流和电压间的变化关系与一般半导体二极管不同。当某一个极上加正电压时,通过管的电流先将随电压的增加而很快变大,但在电压达到某一值后,忽而...
戈登·摩尔的基本信息
答:
已经60多岁的费尔柴尔德先生已经没有多少心情和动力了,他只提供了3600美元的种子基金,要求他们开发和生产商业
半导体器件
,并享有两年的购买特权。于是,“八叛逆”创办的企业被正式命名为仙童半导体公司。、“仙童”们商议要制造一种双扩散基型晶体管,以便用硅来取代传统的锗材料,这是他们在肖克利实验室尚未完成却又不...
金属电阻率与
半导体
电阻率的本质差别
答:
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序,但是仍具有单晶体的微观结构,因此具有许多特殊的性质。1975年,英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功,使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级,促进非晶态
半导体器件
的开发和应用。同单晶材料相比,非晶态半导体...
芯片是什么材料的?这材料有什么性质?
答:
芯片的材质主要是硅,它的性质是可以做
半导体
。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料...
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